发明名称 用于唯读记忆体之记忆格
摘要 本发明揭露一唯读记忆体,该唯读记忆体比起以前知的记忆格显着地有较少的总面积。在程式化该记忆格的制程中,不采仅使用一层,本发明使用最少二层以程式化该记忆格。此弹性使该记忆格的面积可以减少,其进而产生一具有更有效面积利用率的ROM,且因而能进一步降低成本。当该位元线长度与电容都被减少后,速度与电力消耗亦被改善。
申请公布号 TW200733356 申请公布日期 2007.09.01
申请号 TW095145235 申请日期 2006.12.05
申请人 ARM物理IP股份有限公司 发明人 莫哈尔苏得亥;刘致更
分类号 H01L27/112(2006.01);H01L21/8246(2006.01) 主分类号 H01L27/112(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 美国