记忆体元件及其形成方法

摘要

本发明提供一种具有高侦测速度与可靠度之记忆体元件及其形成方法，元件包括：第一介电层及第二介电层依序形成于半导体基板上；电容位于第二介电层中，且具有至少部份填满第三介电层之杯状区域。上述元件可更包括第三介电层及位元线依序形成于第二介电层上，且位元线电性连接至电容。较佳情况下，该电容之杯状区域包含大尺寸孔洞。