半导体电晶体元件及其制作方法

摘要

本发明提供一种制作金氧半导体(MOS)电晶体元件的方法，特征在结合具有不同应力(stress)作用下(压缩或伸张)的氮化矽盖层以及一额外的浅沟绝缘层的回蚀刻步骤，使N或P型金氧半导体场效电晶体元件可以同时具有较高电流增益，藉以改善半导体电晶体元件的操作效能。