| 摘要 |
本发明之课题在于提供一种，具有简单的构成且容易进行膜片部的厚度控制等，并且具有高良率、低成本及温度依存性较低的优点之高感应度的半导体压力感测器。本发明之解决手段为一种半导体压力感测器，系由肖特基能障二极体元件10及台座部4所构成，肖特基能障二极体元件10由障壁膜1；电极膜2；及n型半导体基板3所形成。于肖特基能障二极体元件10中，使以金属所构成之障壁膜1与n型半导体基板3接触，藉此于n型半导体基板3侧的接触面产生空乏层，而产生肖特基障壁。此肖特基接合部分系包含于n型半导体基板3的膜片部5中，而成为感测压力之区域。 |
