用于形成多组分介电薄膜的直接液体注入系统和方法

摘要

本发明提供了用于原子层沉积(ALD)的方法和系统。在一些实施方案中，所提供的系统包括：至少一种直接液体注入系统，其适于将一个或多个沉积前体注入到一个或多个气化室；至少一种鼓泡器系统，其适于气化一个或多个沉积前体；以及处理室，其被连接到所述直接注入系统和所述鼓泡器系统，所述处理室适于从所述直接液体注入和鼓泡器系统中接收沉积前体，并且被调整来实施ALD处理。在另外一个替代的实施方案中，所述系统由两个分开的直接液体注入系统组成。

主权项

1.一种用于在衬底的表面形成膜的方法，包括如下步骤：利用直接液体注入和鼓泡器气化中的任何一种或其组合气化两或多种前体，每种前体包含至少一种金属或非金属成分；传送所述两或多种前体到处理室，其中所述前体在所述处理室被一起提供；在所述衬底的表面形成单层，所述单层包含金属或非金属成分中的每种；从所述处理室中清除所述前体的过量混合物；传送第一反应物到所述处理室，并且允许所述第一反应物与所混合的前体的单层反应，以形成包含金属的材料；从所述处理室除去过量的第一反应物；传送第二反应物到所述处理室，并且允许所述第二反应物与包含金属的材料的单层反应，以形成金属-(第一反应物)-(第二反应物)材料；以及重复所述顺序直到达到所述膜希望的厚度。