存储单元装置、控制存储单元的方法、存储器阵列及电子设备

摘要

本发明涉及存储单元装置、控制存储单元的方法、存储器阵列及电子设备。在本发明的实施例中，存储单元装置包括衬底和至少一个包括电荷保存存储单元结构和选择结构的存储单元。该存储单元装置还包括设置在衬底之内的第一掺杂阱、第二掺杂阱和第三掺杂阱，其中电荷保存存储单元结构设置在第一掺杂阱之内或之上，第一掺杂阱设置在第二掺杂阱之内，第二掺杂阱设置在第三掺杂阱之内。该存储单元装置还包括与存储单元耦合的控制电路，其用于控制存储单元，这样通过至少第一掺杂阱对电荷保存存储单元结构进行充电或放电，来使电荷保存存储单元结构被编程或擦除。

主权项

1. 一种存储单元装置，包括：衬底；至少一个存储单元，其包括电荷保存存储单元结构和选择结构；设置在衬底之内的第一掺杂阱、第二掺杂阱和第三掺杂阱，其中电荷保存存储单元结构设置在第一掺杂阱之内或之上，第一掺杂阱设置在第二掺杂阱之内，而第二掺杂阱设置在第三掺杂阱之内；以及与存储单元耦合的控制电路，其用于控制存储单元，使得通过至少第一掺杂阱对电荷保存存储单元结构进行充电或放电，来使电荷保存存储单元结构编程或擦除。