发明名称 | 计算干氧扩散反应参数的方法 | ||
摘要 | 本发明提出一种计算干氧扩散工艺参数的方法,计算出栅氧化层的模拟厚度,不断完善和修改初始工艺参数,得到目标厚度的栅氧化层,从而能够减少试验次数,节约了生产成本,减少了试验的时间,预算较低,提高了生产效率。 | ||
申请公布号 | CN103400045B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
申请号 | CN201310354602.2 | 申请日期 | 2013.08.14 |
申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 孙天拓;胡荣 |
分类号 | G06F19/00(2011.01)I | 主分类号 | G06F19/00(2011.01)I |
代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
主权项 | 一种计算干氧扩散工艺参数的方法,包括步骤:一、设定栅氧化层的目标厚度;二、设定干氧扩散的初始工艺参数;三、计算出形成栅氧化层的模拟厚度,使用迭代公式计算出模拟厚度,所述迭代公式为:<img file="FDA0000933237550000011.GIF" wi="1757" he="134" />其中,h表示空间步长,t表示时间步长,C<sup>(n)</sup>(i,j)为第n次迭代过程中j时刻i位置的氧浓度,n表示迭代次数,C(i,j)表示j时刻i点的氧浓度空间分布值,i表示空间坐标,j表示当前时刻,D为氧扩散系数;四、将所述模拟厚度与所述目标厚度作比较,若相差大于0.2埃,则返回至步骤二,修改所述初始工艺参数,并重新计算出模拟厚度;若所述模拟厚度与所述目标厚度相差小于等于0.2埃,则以返回此时的初始工艺参数,作为模拟工艺参数;五、使用所述模拟工艺参数进行试验,测量生产出栅氧化层的实际厚度,若所述实际厚度与所述目标厚度相差大于0.2埃,则修改所述模拟工艺参数,重新试验,直至相差小于等于0.2埃,得出此时的模拟工艺参数即为生产目标厚度栅氧化层所需的实际工艺参数。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 |