发明名称 |
衬底处理装置、顶棚部及半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明在提高衬底面内的温度均匀性的同时迅速地降低炉内温度。具有:反应管,其对衬底进行处理;加热部,其配置在反应管的外周,且对反应管内进行加热;隔热部,其配置在加热部的外周;流路,其在隔热部上设有多个,且供外部气体或冷却介质流通;和顶棚部,其将隔热部的上表面覆盖,顶棚部具有:第1部件,其形成有与流路连通且将外部气体或冷却介质向流路内供给的供给口;和第2部件,其配置在第1部件之上,在与第1部件之间形成有供外部气体或冷却介质流动的空间,并形成有将空间分割成至少两个空间的分隔部。 |
申请公布号 |
CN105960701A |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
CN201580006962.0 |
申请日期 |
2015.03.19 |
申请人 |
株式会社日立国际电气 |
发明人 |
竹胁基哉;小杉哲也;上野正昭 |
分类号 |
H01L21/31(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
陈伟 |
主权项 |
一种衬底处理装置,其特征在于,具有:反应管,其对衬底进行处理;加热部,其配置在所述反应管的外周,且对所述反应管内进行加热;隔热部,其配置在所述加热部的外周;流路,其在所述隔热部上设有多个,且供外部气体或冷却介质流通;和顶棚部,其将所述隔热部的上表面覆盖,所述顶棚部具有:第1部件,其形成有与所述流路连通且将所述外部气体或冷却介质向所述流路内供给的供给口;和第2部件,其配置在所述第1部件之上,在与所述第1部件之间形成有供所述外部气体或冷却介质流动的空间,且在所述第2部件上形成有将所述空间分割成至少两个空间的分隔部。 |
地址 |
日本东京都 |