| 主权项 |
1.一种用以制造半导体元件之管状装置,由具有载入半导体晶圆用之门的圆柱形管状物(11)所构成,其中上述管状物一端为封闭状态并在上述一端附近形成两个开口(12及13),且另一端为圆锥形并在其尖端形成一个开口(15)。2.根据申请专利范围第1项之管状装置,其中上述圆锥端尖端形成之上述开口(15)为反应气体导入孔。3.根据申请专利范围第1项之管状装置,其中位于上述封闭端附近之上述两个开口之一为氮气导入孔(12),且另一个为气体排出口(13)。4.根据申请专利范围第1项之管状装置,其中上述管(11)为石英所构成。5.根据申请专利范围第1项之管状装置,上述装置另外包含安装在上述管上且具有两个开口的鞍形物(14)。6.根据申请专利范围第5项之管状装置,其中上述鞍形物系安装在上述管上,使得上述鞍形物之上述两个开口(12及13)与位于上述管上述封闭端附近之上述两个开口相对应。7.一种用以制造半导体元件之管状装置,包含具有载入半导体晶圆用之门的圆柱形管状物(11),其一端为封闭状态且具有两个在附近形成之开口(12及13),而另一端为圆锥形且在上述端尖端形成一个开口(15);并且一个鞍状物安装在上述管上,且具有两个开口,以使上述鞍形物的上述两个开口与位于上述管上述封闭端附近之上述两个开口相对应。图示简单说明:图1为习知扩散过程时之管状装置的截面图;图2为图1之管状装置沿A-A'线所取之横截面图;图3为扩散过程中安装有本发明之鞍形物之管状装置的示意图;图4为图3管状装置之封闭端沿B-B'线所取之示意图;图5为安装在本发明管状装置上之鞍形物的截面图;图6为鞍形物的右视图;图7为显示使用习知管状装置所得之加工能力指数图;及 |
