| 主权项 |
1.一种制造场效电晶体的方法包括下列步骤:形成该场效电晶体源/汲区(例如3)及闸电极(例如5)于场氧化区(例如7)之间;沈积一导电起落垫层(例如9);该层包含一导电氮化物;沈积一电介质层(例如11);沈积一阻蚀层(例如13);定形该阻蚀(例如13)以暴露该电极层(例如11)之选定部份于该闸电极(例如5)及该场氧化物区(例如7);移去该电介质层(例如11)的该暴露部份以暴露该导电垫层之部份(例如9);及使用该电介质(例如11)以定形该导电起落垫层(例如9)。2.如申请专利范围第1项所述的方法进一步包含下列步骤:在对该导电起落垫层定形之前在该经定形电介质层(例如11)上形成电介质间隔(例如15)。3.如申请专利范围第2项所述的方法其中该形成步骤包含沈积一电介质层(例如11)及回蚀以形成该间隔(例如15)。4.如申请专利范围第1项所述的方法包含进一步之步骤,在该经定形导电起落垫层(例如9)上沈积一电介质层(例如17),及对该电介质层(例如17)定形以形成暴露该经定形电介质层(例如11)之部份的窗口;及使用该电介质层(例如11)为一蚀刻掩罩以暴露该导电起落垫(例如9)的部份。5.如申请专利范围第4项所述的方法进一步包含沈积金属于该窗口的步骤。6.如申请专利范围第1项所述的方法其中该导电氮化物基本上由氮化钛组成。7.一种制造场效电晶体的方法包含下列步骤:在场氧化物区之间形成该场效电晶体的源/汲区(例如3)及闸电极(例如5);沈积一导电起落垫层(例如9);沈积一介电质层(例如11);沈积一阻蚀层(例如13);定形该阻蚀(例如13)以暴露该电极层(例如11)之选定部份于该闸电极(例如5)及该场氧化物区(例如7);于对该导电起落垫层(例如9)定形之前在该经定形电介质层上形成电介质间隔(例如15);及使用该电介质层(例如11)以对该导电起落垫层(例如9)定形。8.如申请专利范围第7项所述的方法其中该形成步骤包含沈积一电介质层(例如11)及回蚀以形成该间隔(例如15)的步骤。9.如申请专利范围第7项所述的方法包含进一步的步骤,在该经定形导电起落垫层(例如9)之沈积一电介质层(例如17),及对该电介质定形以形成暴露该经定形电介质层(例如11)的部份的窗口;及使用该电介质层(例如11)作为一蚀刻掩罩以暴露该导电起落垫层(例如9)的部份。10.如申请专利范围第9项所述的方法包含进一步的步骤,在该窗口上沈积金属。11.如申请专利范围第7项所述的方法其中该导电起落垫层(例如9)由一导电氮化物组成。12.如申请专利范围第11项所述的方法其中该导电氮化物基本上由氮化钛组成。图示简单说明:图1-4为依照本发明的不同制造阶段的场效电晶体的一部 |
