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发明名称 METHOD OF FORMING CONTACT HAVING LOW RESISTANCE WITH ALUMINUM MATERIAL AND LOW RESISTANCE CONTACT AND INTEGRATED CIRCUIT MULTILAYER STRUCTURE PROVIDED BY THE METHOD
摘要
申请公布号 JPH01308050(A) 申请公布日期 1989.12.12
申请号 JP19880134274 申请日期 1988.05.31
申请人 GENERAL ELECTRIC CO <GE> 发明人 RONARUDO HAABEI UIRUSON
分类号 H01L21/768;H01L23/522 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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