| 主权项 |
1.一种用以于一具有一第一及第二相对侧之夹持物中侦测多数物件之位置之系统,该装置包含:一第一发射器定位于该夹持物的第一侧,以产生一第一辐射束指向穿过该夹持物;一反射器定位于在该夹持物的第二侧,以至少部份地反射该第一辐射束回来穿过该夹持物;一第一侦测器定位在该夹持物的第一侧,用以接收该在经由该反射器反射后之第一辐射束,以及,用以产生一第一信号其系指示该撞击该侦测器的辐射的强度;一机构用以以该第一辐射束扫描于该夹持物中多数之物件;与一电子电路接收由该侦测器而来之第一信号,并反应以产生一该诸是否被适当地定位于该夹持物中之一指示値。2.如申请专利范围第1项所述之系统更包含:一第二发射器位于该夹持物的第一侧,以产生一第二的辐射束指向通过该夹持物;和一第二侦测器在该夹持物的第一侧,用以接收该为该反射器所反射后之第二辐射束,与产生一第二信号,其指示撞击该第二侦测器的辐射强度。3.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该第一和第二发射器产生的光束系在一选择自红外线与可见光谱的一波长。4.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该第一和第二发射器系被定位以使得该第一和第二辐射束系共平面地行经穿过该夹持物。5.如申请专利范围第4项所述之系统,其中该机构移动该夹持物以一个正交于一由该第一和第二光束之路径所定义之平面之方向。6.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该电子电路包含一多工电路,其系交替地作动该第一和第二发射器并且交替地取样该第一和第二信号。7.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该电子电路包含一多工控制,其产生一控制信号其系交替地作动该第一和第二发射器,以产生该第一和第二辐射束。8.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该电子电路进一步包含:一调变器连接至该第一和第二发射器,用以调变该第一和第二辐射束;一多工器具有二输入,其系接收该第一和第二信号与反应于于一控制输入之信号交替地连接该些输入至一输出;一多工控制交替地连接该两输入至该输出,该控制系产生一控制信号其系被连接到该多工器之控制输入;一同步侦测器连接到该该多工器与该调变器的输出,并且,具有一个输出端;第一和第二取样与保持电路连接到该同步侦测器的输出端,与被该来自于该多工控制之控制信号所控制,其中,该第一取样和保持电路储存一由该同步侦测器所来之由该第一侦测器来之第一信号之信号位准,与其中该第二取样和保持电路储存另一由该第二侦测器来之第二信号所产生之由该同步侦测器来之信号位准。9.如申请专利范围第8项所述之系统,其中该电子电路进一步包含一电脑连接至该第一和第二取样与保持电路,与分析储存于该第一和第二取样与保持电路中之信号位准,以产生于该夹持物中多数物件位置的指示。10.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该电子电路进一步包含一机构反应于该第一信号,以量测一个晶圆的厚度。11.一种用以侦测于一夹持物内半导体晶圆位置之装置,该夹持物具有第一和第二相对侧,该装置包含:一反射器于在该夹持物的第一侧;一第一发射器位于夹持物之第二侧,用以产生一第一光束其系被指引穿过该夹持物至该反射器,该反射器引导该第一光束回来穿过该夹持物;一第二发射器位于该夹持物之第二侧,用以产生一第二光束,其系指向穿过该夹持物至该反射器,该反射器引导该第二光束回来穿过该夹持物;一第一侦测器位于在该夹持物的第二侧,用以接收该为该反射器反射后之第一光束,与产生一第一信号其系指示一撞击第一侦测器之光之强度;一第二侦测器位于在该夹持物的第二侧,用以接收该为该反射器所反射后之第一光束,与产生一第二信号,其指示撞击该第二侦测器之光的强度;一机构用以移动该夹持物于一个横断于该第一和第二路径之方向;和一电子电路连接至该第一和第二侦测器,以及,反应于该第一和第二信号,产生一该半导体晶圆是否适当地被定位于在该夹持物中之指示値。12.如申请专利范围第11项所述之装置,其中,该第一和第二光束均不相交一晶圆的中心,当该夹持物移动时。13.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该第一和第二发射器系被定位,以使得该第一和第二光束以共平面路径行进穿过该夹持物。14.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该第一和第二发射器系被定位,以使得该第一和第二光束以一共用平面行进,该共用平面系平行于晶圆被定位于该夹持物中之平面。15.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该第一和第二光束被对焦于在一晶圆的端边。16.如申请专利范围第11项所述之装置,其中,该电子电路包含:一调变器连接至该第一及第二发射器,用以调变该第一及第二光束;一多工器具有两输入用以接收该第一及第二信号并且反应于接收于一控制输入之信号,而选择性地连接该两输入之一至一输出;一多工控制其系产生一控制信号,该信号系连接至该多工器之控制输入,以交替地连接该两输入至该输出;一同步侦测器接接至该多工器及该调变器之输出,并且,具有一输出端;第一及第二取样保持电路连接至该同步侦测器之输出端,及系为该来自于该多工控制之控制信号所控制,其中,该第一取样及保持电路储存一由该第一侦测器之第一信号所产生之该同步侦测器之信号位准,以及,其中,该第二取样及保持电路储存另一由该第二侦测器之第二信号所产生之该同步侦测器之信号位准;及一电脑连接至该第一及第二取样及保持电路,并且,分析所储存之信号位准,以产生于该夹持物内之半导体晶圆之位置之指示。17.一种用以检视于一夹持物内之多物件之定位之方法,该夹持物具有第一和第二相对侧,该方法之步骤包含:发射一第一光束经过该夹持物由该第一侧至该第二侧;反射该第一光束回来经过该夹持物由该第二侧到该第一侧;侦测由该卡匣之第一侧发出之第一光束的强度;发射一第二光束经过该夹持物由该第一侧至该第二侧;反射该第二光束回来经过该夹持物由该第二侧到该第一侧;侦测由该卡匣第一侧发出之第二光束之强度;以该第一及第二光束扫瞄该夹持物;和当该夹持物系被扫瞄时,由该于第一和第二光束强度的变化,决定于该夹持物中之每个物件之位置。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该第一和第二光束路径系在于一共用平面。19.一种用于于一个夹持物中之多数物件的位置之侦测系统,该装置包含:一第一发射器定位于夹持物的一边,以产生一第一辐射束指向该夹持物;一第一侦测器位于在夹持物之一边,用以接收该第一辐射束在反射经过该夹持物之后,该第一侦测器产生一第一信号其系指示撞击于该侦测器之辐射的强度;一机构用以以该第一辐射束,扫描于该夹持物中之多数物件;与一电子电路接收该从该侦测器而来之第一信号与反应以产生一该诸物件是否适当地定位在该夹持物中之指示。20.如申请专利范围第1项所述之系统,更进一步包含:一第二发射器位于在该夹持物之一侧,以产生一第二辐射束指向该夹持物;和一第二侦测器在该夹持物的第一侧,用以接收该第二辐射束,在反射经过该夹持物之后,与该第二侦测器产生一第二信号,其系指示一撞击该第二侧测器之辐射的强度。图示简单说明:图式1是一剖面图,其系横切过一个半导体处理装置,该装置系并入本发明者;图式2系沿着图式1之线2-2所取之截面图;图式3是一本系统的一方块图,其系用以光学地侦测出于图式1中该装置内之半导体晶圆的位置;和 |
