| 主权项 |
1.一种双闸极互补式金氧半电晶体制程中防止P型金氧半电晶体之硼穿透效应之方法,该双闸极互补式金氧半电晶体(CMOS)包括一N型MOS及一P型MOS;414.利用N@ss2O形成一氧化层于一矽晶片上,俾做为该PMOS之闸极氧化层;415.形成至少一非晶矽层于该闸极氧化层之上,俾做为该PMOS之闸极。416.布植二氟化硼(BF@ss2)至于该至少一非晶矽层内;417.形成一双闸极互补式金氧半电晶体于该矽晶片上;其特征在于,该以N@ss2O所形成之闸极氧化层及该由至少一非晶矽层所形成之闸极可防止PMOS结构中硼离子穿透至该矽基板内。2.如申请专利范围第1项所述之双闸极互补式金氧半电晶体制程中防止P型金氧半电晶体之硼穿透效应之方法,步骤(1)中之闸极氧化层系于900-1100℃之温度下成长而成,其厚度为70-120@fc(1.frch)8。3.如申请专利范围第1项所述之双闸极互补式金氧半电晶体制程中防止P型金氧半电晶体之硼穿透效应之方法,步骤(2)之非晶矽层系于550℃之低压化学气相沈积(LPCVD)系统中沈积而成,其厚度为1000-3000@fc(1.frch)8。4.如申请专利范围第1项所述之双闸极互补式金氧半电晶体制程中防止P型金氧半电晶体之硼穿透效应之方法,步骤(3)之布植能量为50-70kev,布植量为110@su1@su5-110@su1@su6atom/cm@su2。5.如申请专利范围第1项所述之双闸极互补式金氧半电晶体制程中防止P型金氧半电晶体之硼穿透效应之方法,步骤(3)、(4)之间更包括下列步骤:清洗该矽晶片;使该矽晶片被置于高温炉中,并通入O@ss2或N@ss2气体,于900℃退火10-30分钟。6.一种双闸极互补式金氧半电晶体结构,其包括:一N型金氧半电晶体及一P型金氧半电晶体;其中,该P型金氧半电晶体之闸极氧化层系由N@ss2O所形成,而其闸极系由布植BF@ss2于至少一非晶矽层内所形成,该以N@ss2O所形成之闸极氧化层及该至少一非晶矽层所形成之闸极可防止硼离子穿透至该矽基板内。图示简单说明:第一图:为本案方法之一较佳实施例步骤示意图。第二图:为8种不同结构试片之高频电容—电压图。第三图:为4种不同结构试片之硼离子布图。第四图:为SAS-N@ss2O试片之高频电容电压图。第五图:为8种不同结构试片之Vfb与Qeff经10.20.30分钟退火后之情形。第六图:以定电流10mA/cm@su2灌入8种结构试片之闸极所得之闸极电压变化情形。第七图:系8种不同试片之崩溃电荷图。 |
