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1. 一种适用于气相反应制程生产具有优异加工性线型低密度聚乙烯并提高对共聚合单体亲和力和改善聚合物机械性质之触媒复合物,其中触媒复合物由如下方式制备而得:414. 于0-25℃的温度下熔融反应物(A)、(B)及(C),其中反应物(A)为具有Mg(OR')2化学式之镁化合物,R'为C1-C12的烷基;反应物(B)为具有TiXm(OR")4-m化学式之钛化合物,其中R"为C1-C10的烷基,X为卤素,m为0至4的整数;反应物(C)为具有ZrXn(OR")4-n化学式之锆化合物,R"'为C1-C10的烷基,n为0至4的整数;415. 以适量之惰性溶剂,如饱和碳氢化合物溶剂,稀释上适熔融物时,含浸于高表面积之无机载体上;416. 再0-50℃之温度下以惰性溶剂稀释之后,以卤化钒化合物(D),如VX4.VX3或VOX3进行第一阶段之卤化,而形成触媒雏形物;401. 再于0-70℃之温度下以烷基铝卤化物(E)进行第二阶段之卤化,并活化上述触媒雏形物;(1) 以卤化碳氢化合物溶剂洗涤上述之成型物,以去除反应未完全之部分物质;(2) 于适当温度下乾燥而得触媒复合物;上述成分中,锆化合物对钛化合物之莫耳比率在0.1-10之间;钒化合物对钛化合物莫耳比率在0.1-10之间;锆及钛总莫耳数对镁化合物之莫耳比在0.1-10之间;烷基铝卤化物与镁化合物之莫耳比在3-20之间;高表面积无机载体用量为镁化合物转化所得氯化镁重量之4-20倍。2. 依申请专利范围第1项所述之触媒复合物,其中步骤1)系于90-160℃温度下进行;步骤3)系于20-40℃温度下进行;步骤4)系于30-50℃温度下进行。3. 依申请专利范围第1项所述之触媒复合物,其中锆化合物对钛化合物之莫耳比率在0.5-5之间;钒化合物对钛化合物莫耳比率在0.5-5之间;锆及钛总莫耳数对镁化合物之莫耳比在5-12之间;烷基铝卤化物与镁化合物之莫耳比在5-10之间;高表面积无机载体用量为镁化合物转化所得氯化镁重量之10-15倍;所称之卤化碳氢化合物溶剂系指具有二个卤素取代基以上之饱和碳氢化合物。4.依申请专利范围第1项所述之触媒复合物,其中所称之高表面积无机载体系指常见之氧化铝(A1203)、氧化矽(Si02)、氧化矽氧化铝(Si02A1203)、氧化钛(Ti02)等及其混合物,可依所欲控制之触媒颗粒大小及密度来选定,其比表面积在200m@su2/g以上、孔隙体积在0.5cc/g以上;使用前在200-800℃下以乾燥氮气或其他钝性气体吹涤操作2-16小时,以除去其上所含之羟(OH)基。5.依申请专利范围第1项所述之触媒复合物,其中之镁化合物为Mg(OCH3)2或Mg(OC2H5)2,或两者之混合物。6. 依申请专利范围第1项所述之触媒复合物,其中钛化合物为Ti(OC4H9)4,或其混合物。7. 依申请专利范围第1项所述之触媒复合物,其中锆化合物Zr(OC4H9)4。8. 依申请专利范围第1项所述之触媒复合物,其中钒化合物为VC13.VC14或VOC13。9. 依申请专利范围第1项所述之触媒复合物,适用于制备共聚合单体为3-8个碳原跐之-烯烃且密度在0.88-0.94g/cm@su3之间之线型低密度聚乙稀;所得线型低密度乙烯具有优异加工性及强韧之机械性质且触媒对于共聚合单体亲和力极佳。10. 依申请专利范围第1项所述之触媒复合物,适用于气相反应制程生产可于传统LDPE挤压机做高速吹膜、吹压、 |
