具有改良缺陷之多层研磨垫及其制造方法

摘要

本发明提供一种用于研磨半导体基材的复合化学机械研磨垫，该研磨垫包括：具有第一压缩性的研磨层、具有比第一压缩性更低之第二压缩性的中间层及具有比第二压缩性更高且比第一压缩性更低之第三压缩性的底层。该研磨层具有至少50体积百分比的孔隙度。本发明提供一种具有减少缺陷及改良研磨性能之多层、水性(water-based)的研磨垫。