| 发明名称 | 用于合成半导体金刚石的石墨材料以及由该材料制备的半导体金刚石 | ||
| 摘要 | 在由高压合成法制备含硼的半导体金刚石时，向旨在转化为半导体金刚石的石墨材料中按使其均匀的方式加入硼或硼化合物，使之致密、高纯度化，降低含氢量。 | ||
| 申请公布号 | CN100354199C | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN01823915.3 | 申请日期 | 2001.12.28 |
| 申请人 | 东洋炭素株式会社 | 发明人 | 福长修;大久保博;曾我部敏明;东城哲朗 |
| 分类号 | C01B31/06(2006.01);B01J3/06(2006.01);C04B35/528(2006.01) | 主分类号 | C01B31/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郭煜;庞立志 |
| 主权项 | 1.用于合成半导体金刚石的石墨材料，所述石墨材料是在由高压合成法制备半导体金刚石中所采用的石墨材料，它是使用硼粉末或硼化合物粉末、人造石墨粉末、易石墨化碳粉末作为原料，将这些原料粉末以任意的方法进行混合、成型、烧结、石墨化、高纯度化而成的。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||