| 主权项 |
一种保护电路，具备电源端子、接地端子和第一至第三晶体管，防止向具备规定功能的电路部施加反向的电压，其特征在于，上述第一晶体管的源极及漏极中的一个与上述电源端子连接，栅极与上述接地端子连接，源极及漏极中的另一个与上述第一晶体管中包含形成沟道的区域在内的第一区域连接，上述第二晶体管的源极及漏极中的一个与上述第二晶体管中包含形成沟道的区域在内的第二区域连接，并且与上述第一晶体管的源极及漏极中的另一个连接，栅极与上述电源端子连接，源极及漏极中的另一个与上述接地端子连接，上述第三晶体管的源极及漏极中的一个与上述电源端子连接，栅极与上述接地端子连接，源极及漏极中的另一个经上述电路部而与上述接地端子连接，上述第一区域与上述第二区域被一体地形成，并且与上述第三晶体管中包含形成沟道的区域在内的第三区域连接，上述第一至第三区域被一体地形成，上述第一至第三晶体管是P沟道型MOSFET，在P型的基板的表面形成有N阱，上述保护电路还具备在上述N阱内成为上述第一晶体管的源极的第一高浓度P型区域、在上述N阱内成为上述第一晶体管的漏极的第二高浓度P型区域、将上述第一晶体管的源极与漏极之间的上述N阱的表面覆盖的第一栅极绝缘膜，上述保护电路还具备在上述N阱内成为上述第二晶体管的源极的第三高浓度P型区域、在上述N阱内成为上述第二晶体管的漏极的第四高浓度P型区域、将上述第二晶体管的源极与漏极之间的上述N阱的表面覆盖的第二栅极绝缘膜，上述保护电路还具备在上述N阱内成为上述第三晶体管的源极的第五高浓度P型区域、在上述N阱内成为上述第三晶体管的漏极的第六高浓度P型区域、将上述第三晶体管的源极与漏极之间的上述N阱的表面覆盖的 第三栅极绝缘膜，上述第一晶体管的漏极经由第一高浓度N型区域与上述N阱连接，上述第二晶体管的漏极经由第二高浓度N型区域与上述N阱连接，上述N阱被上述第一晶体管、上述第二晶体管、上述第三晶体管共用，在与上述第一晶体管的漏极连接的上述第一高浓度N型区域和与上述第二晶体管的漏极连接的上述第二高浓度N型区域所夹着的位置配置上述第三晶体管。 |
