| 主权项 |
1. 一种抑制颗粒飞溅至半导体晶片上之装置,例如于晶片上沉积磊晶层时采用,有助于保持晶片面清洁及抑止缺陷产生,此装置包含使颗粒远离晶片之偏离路径装置以及导正偏离装置相对晶片关系之装置。2. 根据申请专利范围第1项之装置,其中该偏离装置包含一般邻接晶片之装置产生气流而流过晶片。3. 根据申请专利范围第2项之装置,其中该偏离装置包含连接该导向装置之装置旨在导正一般进入晶片周缘部份之气流流出该周缘部份而离开晶片。4. 根据申请专利范围第3项之装置,其中该导正气流装置包括一根导管,导管一端与加压气源相连,孔形装置一般位于导管之相对端,其形状及排列通常使气流导向晶片之该周缘,而过滤器介置于导管两端点中间以去除该加压气源流出气流所携带之杂质。5. 根据申请专利范围第4项之装置,其中该孔形装置包含具有许多开口之主褶曲管,通过开口气体流至晶片该周缘部份,该主褶曲管之构形使开口一般呈弧形排列。6. 根据申请专利范围第5项之装置,其中该主褶曲管更包含从主褶曲管突出之喷嘴,主褶曲管开口位于喷嘴末端。7. 根据申请专利范围第4项之装置,其中该过滤器旨在大致除去所有从导管流出气体中所携带粒径0.1微米或更大之颗粒。8. 根据申请专利范围第4项之装置,其中该偏离装置更包含收集颗粒之真空装置。9. 根据申请专利范围第8项之装置,其中该真空装置包含一个入口,位于晶片之该周缘部份外围。10. 根据申请专利范围第9项之装置,其中该入口一般沿着弧形而平行晶片周缘部份延伸排置。11. 根据申请专利范围第8项之装置,其中该导正偏离装置相对晶片关系之装置包含传送晶片时夹住晶片而握紧晶片之装置。12. 根据申请专利范围第11项之装置,其中该夹具装置包含该处突出之指状物,指状物彼此间隔且通常与晶片之周缘啮合。13. 根据申请专利范围第12项之装置,其中至少一指状物以支轴装于装置上以利介于夹紧位置,指状物调整至与晶片周缘啮合以握紧晶片与释放位置,指状物调整至离开周缘以使装置释放晶片之动作。14. 根据申请专利范围第13项之装置更包含使以支轴架装之指状物倒转向夹紧位置之装置。15. 根据申请专利范围第1项之装置,其中该偏离装置包含将颗粒抽离晶片之真空装置。16. 根据申请专利范围第15项之装置,其中该真空装置包含一位于晶片之该周缘部份外围之入口。17. 根据申请专利范围第16项之装置,其中该入口一般沿着弧形而平行晶片周缘延伸排置。18. 一种抑制颗粒飞溅至半导体晶片上之装置,例如于晶片上沉积磊晶层时采用,有助于保持晶片面清洁及抑止缺陷产生,此装置包含导向一般进入晶片周缘部份之气流流出该周缘部份而离开晶片之装置,及将颗粒抽离晶片之装置,该真空装置包含一位于晶片之该周缘部份外围之入口而且通常以该导向气流装置使气流顺流而下。19.根据申请专利范围第18项之装置,其中该导向气流装置包含一根导管,导管一端与加压气源相连,一个主褶曲管具有许多开口,通过开口气体放出,该主褶曲管开口之形状及排置一般为导向气流流至晶片之该周缘。20. 根据申请专利范围第19项之装置更包含一个介置于导管两端点中间之过滤器以去除该加压气源流出气流所携带之杂质。21. 根据申请专利范围第19项之装置,其中该主褶曲管之构形使开孔一般沿弧形配置,而且该真空装置之入口亦通常延着弧形而平行晶片周缘部份延伸排置。22. 根据申请专利范围第21项之装置更包含导正该导向气流装置之装置以及该真空装置相对于晶片以加强使晶片上通常最多颗粒出现之位置上颗粒偏离。23. 根据申请专利范围第22项之装置,其中该导正装置包含由该处向外突出之指状物,指状物彼此间隔而且一般构置与晶片之周缘啮合,至少有一指状物以支轴架装于该导正装置上以利介于夹紧位置,指状物调整至与晶片周缘啮化握紧晶片与释放位置,指状物调整至离开周缘以使装置释放晶片之动作。24. 一种抑制颗粒之方法,该等颗粒系当一半导体晶片置放于受器台内或自其处移去时所产生,俾防止该等颗粒沉积于该半导体晶片之一面上而形成缺陷位置,该方法包含以下步骤:备有使颗粒偏离晶片之装置;导正该偏离颗粒装置以使该等颗粒自该面之一径向内部部分朝向该半导体晶片之一周边边缘部分偏移,该周边边缘处系实质上颗粒产生之处;强化该偏离颗粒装置以使颗粒偏离会沉积于晶片上之路径。25. 根据申请专利范围第24项之方法,其中强化该偏离颗粒装置之步骤包含提供气流流至晶片上一般主要之颗粒产生处后离开以强化该偏离颗粒装置之步骤。26. 根据申请专利范围第25项之方法,其中强化该偏离颗粒装置之步骤包含将一般径向流入晶片周缘之气流导向一般流出周缘方向而离开晶片之步骤。27. 根据申请专利范围第26项之方法,其中强化该偏离颗粒装置之步骤更包含藉由吸力将一般半导体晶片上之主要颗粒产生处上之颗粒从晶片上除去之步骤。28. 根据申请专利范围第25项之方法,其中强化该偏离颗粒装置之步骤包含藉由吸力将半导体晶片上之主要颗粒产生处上之颗粒从晶片上除去之步骤。图示简单说明:图1为抑制颗粒飞溅至半导体晶片上之装置及受器之片段部份之正视图,显示装置所在系为使颗粒偏离晶片之下部周缘;图1A为图1中受器之放大片段部份,显示半导体晶片与受器啮合;图2系装置之前视图;图3系装置之顶面;图4系第二具体实施例之装置之前视图;而 |
