| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Grenzschicht-Feldeffekttransistors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE2133326(A1) |
申请公布日期 |
1972.01.20 |
| 申请号 |
DE19712133326 |
申请日期 |
1971.07.05 |
| 申请人 |
WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP. |
发明人 |
C. DRIVER,MICHAEL |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/285;H01L29/00;(IPC1-7):H01L7/36 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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