发明名称 STRUCTURE SEMICONDUCTRICE DE TYPE MESA ASSOCIANT UNE DIODE ET UN TRANSISTOR DE TYPES TRANSVERSES EN ANTIPARALLELE
摘要 <P>DANS CETTE STRUCTURE, LA METALLISATION 24 D'ANODE DE LA DIODE EST DISTINCTE DE LA METALLISATION 23 D'EMETTEUR DU TRANSISTOR. SEULE LA METALLISATION D'EMETTEUR EST RELIEE A UNE BORNE EXTERNE. LA CONNEXION ENTRE CES METALLISATIONS SE FAIT PAR L'INTERMEDIAIRE D'UN PROLONGEMENT 22 DE LA COUCHE N D'EMETTEUR 21. IL EN RESULTE QUE, LORS D'UNE INVERSION DE TENSION QUAND LA CONDUCTION DE LA DIODE S'ARRETE, LA CONDUCTION DU TRANSISTOR DEMARRE TRES RAPIDEMENT EN RAISON DES CHARGES INJECTEES DANS LA DIODE QUI SONT ALORS RECUPEREES PAR LE TRANSISTOR.</P>
申请公布号 FR2527008(A1) 申请公布日期 1983.11.18
申请号 FR19820008478 申请日期 1982.05.14
申请人 THOMSON CSF 发明人 PHILIPPE BOUARD
分类号 H01L21/331;H01L27/07;H01L29/73;(IPC1-7):H01L27/04 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
主权项
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