| 主权项 |
1. 一种多用途夹头设备,用以均匀处理半导体材料,包含:一室,用以容纳一介质;一夹头元件,将上述室之一端封闭,上述夹头元件将上述介质与一半导体材料分开,此半导体材料在上述室之外侧并与上述夹头元件接触;一射频感应加热线圈,环绕上述室,用以将上述介质转变成为高温流体状态,上述介质经由上述夹头元件加热上述半导体材料。2. 如申请专利范围第1项之设备,复包含:一旋转元件于上述室中,用以混合上述介质,以于整个上述半导体材料提供均匀之温度分布。3. 如申请专利范围第2项之设备,其中旋转元件具有诸片其在上述夹头元件附近附着至上述旋转元件,以确保上述均匀之温度分布出现在整个上述半导体材料。4.如申请专利范围第2项之设备,复包含:一磁力旋转装置,连接至上述旋转元件,用以自上述室之外侧转动上述旋转元件。5. 如申请专利范围第1项之设备,复包含:一冷却剂管于上述室中,用以于上述夹头元件中提供冷却流体。6. 如申请专利范围第5项之设备,其中半导体材料系于自大约摄氏负150度至超过摄氏1000度之温度范围中冷却及加热。7. 如申请专利范围第1项之设备,复包含:一绝缘层,环绕上述射频感应加热线圈,以确保多用途夹头设备之外侧温度保持接近室温,不管上述介质之温度。8. 一种用以于整个温度材料均匀分布温度之设备,包含:一室,用以容纳一金属介质;一夹头元件,封闭上述室之一端,上述夹头元件将上述金属介质与一半导体材料分开,此半导体材料与上述夹头元件接触且位于上述室之外侧;一射频感应加热线圈,环绕上述室,用以于上述金属介质中产生涡电流损失,上述涡电流损失加热上述金属介质并于上述金属介质中造成交互混合之流体流动,以均匀分布温度于整个金属介质中,上述金属介质经由上述夹头加热上述半导体材料。9. 如申请专利范围第8项之设备,复包含:一旋转元件于上述室中,用以于上述夹头元件附近搅拌上述金属介质,以得到上述半导体材料之完全均匀之温度分布。10. 如申请专利范围第9项之设备,复包含:一磁力旋转装置,连接至上述旋转元件,用以自上述室之外侧转动上述旋转元件,其中上述旋转元件系与上述金属介质接触且未与上述室之内壁接触。11. 如申请专利范围第8项之设备,复包含:一冷却剂管于上述室中,用以引入冷却流体于上述夹头元件中,以控制上述半导体材料之温度。12. 如申请专利范围第8项之设备,其中金属介质系锡。13. 如申请专利范围第8项之设备,其中射频感应加热线圈于10-15仟赫之频率范围中操作。图示简单说明:图1描绘进步之真空处理器(AVP)系统之示意总图;图2描绘多用途夹头设备之剖面图;图3描绘多用途夹头设备之外部金属壳体之横剖面图;图4描绘多用途夹头设备之熔化室之横剖面图(伴随一顶视图);图5A-D描绘多用途夹头设备之熔化室之熔化混合组件之横剖面及正视图;图6A-B描绘多用途夹头设备之中心管及底部金属板之横剖面及正视图;图7A-B描绘多用途夹头设备之上部水冷却模组之横剖面及正视图;图8A-B描绘多用途夹头设备之下部水冷却模组之横剖面及正视图;图9A-B描绘多用途夹头设备之射频感应加热线圈之横剖面及正视图;图10描绘于多用途夹头设备之室中之电流流动之简化图形;图11描绘于多用途夹头设备中之室之简化图形;图12描绘室中热浓度之图形;图13A-C描绘室中旋转片之可能组态;图14描绘多用途夹头设备另一实施例之简化图形;图15描绘多用途夹头设备之夹头元件中热电偶装置之可能 |
