| 发明名称 |
CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM AND METHOD OF COMPENSATING FOR EEDY CURRENT EFFECT ON CHARGED PARTICLE BEAM |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR920000606(B1) |
申请公布日期 |
1992.01.16 |
| 申请号 |
KR19880011943 |
申请日期 |
1988.09.16 |
| 申请人 |
FUJITSU CO., LTD. |
发明人 |
YASUDA, HIROSHI;SUZUKI, MASAHIKO |
| 分类号 |
G03F7/20;H01J37/304;H01J37/317;H01L21/027;(IPC1-7):G03B21/00 |
主分类号 |
G03F7/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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