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发明名称 METHOD FOR FORMING CYLINDRICAL CAPACITOR HAVING TITANIUM NITRIDE BOTTOM ELECTRODE IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 KR100709578(B1) 申请公布日期 2007.04.20
申请号 KR20040050294 申请日期 2004.06.30
申请人 发明人
分类号 H01L27/108;H01L21/8242 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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