半导体装置及在介电质中并入卤素之方法

摘要

本发明提供一种形成半导体装置之方法，该方法包括：在半导体基板上形成一闸极介电质(104)；将该闸极介电质暴露至卤素；及将该卤素并入该闸极介电质中(106)。在一实施例中，该卤素为氟。在一实施例中，亦将该闸极介电质暴露至氮，并将氮并入该闸极介电质中(108)。在一实施例中，该闸极介电质为一金属氧化物。