| 发明名称 | 制造集成半导体装置的方法、半导体装置和存储单元 | ||
| 摘要 | 在此阐述了一种方法，其中，在基层(12)的一个面上生成和掺杂一个多晶层(14)。通过快速热氧化在多晶层(14)上如此生成一个氧化物层(16)，使得可以准确地结构化多晶层(14)。 | ||
| 申请公布号 | CN100352037C | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN02143565.0 | 申请日期 | 2002.09.29 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | M·哈默 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种用于制造集成半导体装置(9，100)的方法，其中，在衬底(10)或基层(12)的一个面上生成一个主层(14)，其中，所述主层(14)在生成时或在生成之后被掺杂，其中，在所述主层(14)上通过热氧化生成一个氧化物层(16)，和其中，将所述主层(14)结构化，其中，在高于900℃的温度下以小于65秒的时间实施所述热氧化，和其中，在生成主层(14)之后的所述热氧化是用一种处理温度的第一处理步骤，该处理温度高于或等于生成主层(14)时的处理温度。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||