发明名称 半导体复合元件及具备该元件之反相换流器装置的异常检出方法
摘要 目的:本发明以是供检出过电流的异常,控制电源电压降低的异常,过热的异常之共常状态,分别输出对应于所检出之异常内容之不容异常信号之半导体复合元件为目的。构成:本发明为具备检出多数之半导体开关元件之任一或全部之半导体开关元件之过电流的异常,控制电流电压降低的异常,及前述半导体复合元件之过热的异常状态检出部,以及对应于前述异常状态检出部所检出之异常内容分别产生不同之异常信号之异常信号产生部者。
申请公布号 TW270975 申请公布日期 1996.02.21
申请号 TW083108790 申请日期 1994.09.23
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 奥村纪彦
分类号 G01R31/00 主分类号 G01R31/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈灿晖 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼
主权项 1. 一种半导体复合元件,包含多数之半导体开关元件,于施行机器之控制之半导体复合元件,具备检出前述多数之半导体开关元件之过电流的异常,控制电源电压降低的异常,以及前述半导体复合元件之过热的异常之异常状态之检出部,以及对应于前述异常状态检出部所检出之异常内容分别产生不同之异常信号之异常信号产生部。2. 如申请专利范围第1项所述之半导体复合元件,其中至少具备第1半导体开关元件与第2半导体开关元件,于施行机器之控制之半导体复合元件,具备检出前述第1半导体开关元件之过电流的异常,控制电源电压降低的异常之第1异常状态检出部,以及检出前述第2半导体开关元件之过电流的异常,控制电源电压降低的异常,以及前述半导体复合元件之过热的异常之第2异常状态检出部,以及对应于由前述第1异常状态检出之异常内容分别产生不同之异常信号之第1异常信号产生部,以及对应于前述第2异常状态检出部所检出之异常内容分别产生不同异常信号第2异常信号产生部。3. 一种反相换流器装置(inverter)之异常检出方法,具有多数之半导体开关元件施行机器之控制之半导体复合元件之反相换流器装置之异常检出方法,于检出前述多数之半导体开关元件之任一或全部之半导体开关元件之过电流的异常,控制电源电压降低的异常,以及前述半导体复合元件之过热的异常之各异常状态之反相换流器装置之异常检出方法中,以检出前述多数之半导体开关元件之任一或全部之半导体开关元件之过电流的异常之情况下,输出相对应之异常信号,检出前述多数之半导体元件之任一或全部之半导体开关元件之控制电源电压降低的异常之情况下,输出相对应之异常信号,检出前述半导体复合元件之过热的异常之情况下,输出相对应之异常信号为特征者。图示简单说明:图1为本发明之半导体复合元件一实施例之构成图,图2为本发明之半导体复合元件使用于反相换流器装置之情况之构成图,图3为依本发明于发生异常时由异常信号输出端子输出之异常信号之图,图4为表示本发明之最有特征部分之异常信号产生部动作流程图
地址 日本