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Ein Halbleiterbauelement, das aufweist: einen Halbleiterkörper (100); mindestens eine Verdrahtungsschicht (33; 34), die auf dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist; einen in den Halbleiterkörper (100) integrierten Feldeffekttransistor (MP) mit einer Vielzahl von Gate-Elektroden (71), die sich in korrespondierenden, im Halbleiterkörper (100) ausgebildeten Gate-Trenches (70‘‘) befinden; einen Temperatursensor (TS), der im Halbleiterkörper (100) benachbart zu dem Feldeffekttransistor (MP) integriert ist; eine Temperaturmessschaltung (40), die abseits von dem Temperatursensor (TS) in dem Halbleiterkörper (100) integriert ist; zumindest einen ersten zusätzlichen in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildeten Trench (70), der zumindest eine Messleitung (81; 82) beinhaltet, die den Temperatursensor (TS) und die Temperaturmessschaltung (40) elektrisch verbindet; zumindest ein in der zumindest einen Verdrahtungsschicht (33; 34) ausgebildetes, leitfähiges Pad (50), das so angeordnet ist, dass es zumindest teilweise den ersten zusätzlichen Trench (70) bedeckt, um eine Schirmung der Messleitung(en) (81; 82) zu bilden. |
