| 摘要 |
본 발명은, 파장 λ의 노광 광을 이용하여 행해지는 포토리소그래피에 적절한, 매입 절연층 상에 SOI층이 형성된 SOI 웨이퍼의 제조 방법으로서, 적어도, 제조 후의 SOI 웨이퍼에 행해지는 상기 포토리소그래피로 이용하는 노광 광의 파장 λ에 따라서, 상기 SOI 웨이퍼의 매입 절연층의 두께를 설계하는 공정과, 상기 설계한 두께의 매입 절연층 상에 SOI층이 형성된 SOI 웨이퍼를 제작하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법이다. 이에 의해, 포토리소그래피를 실시할 때에, SOI층 막두께 변동에 수반하는 노광 광의 반사율의 변동을 억제하여 레지스터 감광 상태의 변동을 억제할 수 있는 SOI 웨이퍼의 설계 방법 및 제조 방법이 제공된다. |
