MOSFET DE PUISSANCE AYANT UN CIRCUIT DE COMMANDE ET DE PROTECTION CONTRE LES SURINTENSITES DE COURANT ET LES SURTEMPERATURES DECOUPLE DU CORPS DE DIODE

摘要

La présente invention concerne un transistor NPN (100) ajouté à la puce d'un circuit intégré de puissance contenant un MOSFET de puissance (10) et un circuit de contrôle dans une puce commune. Le transistor NPN (100) est couplé entre le puits P contenant les composants du circuit intégré et le substrat de type N (110) de la puce et commuté à l'état passant en réponse à la polarisation en sens direct de la diode de corps du MOSFET de puissance (10). Un transistor MOSFET de commande en mode de déplétion est couplé, à travers un circuit de verrouillage de défaut, à la grille du MOSFET de puissance (10) et en série avec un condensateur. Le noeud entre la grille du MOSFET de puissance (10) et le condensateur est découplé du substrat de type N (110) quand le transistor bipolaire commute à l'état passant, pour commuter à l'état bloqué le MOSFET de puissance (10).