发明名称 以铝阳极处理膜为基材的分子筛复合膜及制备方法
摘要 一种铝阳极处理膜为基材制备分子筛复合膜的方法,包括下列步骤:(a)于一含磷酸溶液中制备一铝阳极处理膜;以及(b)将该铝阳极处理膜置于一含氢氧化钠、四乙基矽醇、溴化四丙基铵及水的反应液中反应,以形成一分子筛复合膜。本发明并更进一步包括由该方法所制成的分子筛复合膜。
申请公布号 TW274061 申请公布日期 1996.04.11
申请号 TW084106193 申请日期 1995.06.16
申请人 邱远鸿;施汉章 台北市新生南路一段一○三巷五十六号;蔡增光 台北巿文山区景华街一二一巷七弄五号二楼 发明人 邱远鸿;施汉章;蔡增光
分类号 B01J29/00 主分类号 B01J29/00
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1. 一种以铝阳极处理膜为基材制备分子筛复合膜的方法,包括下列步骤:(a) 将一铝片浸入一含磷酸溶液中,施以电压作阳极处理,以制得一铝阳极处理膜;(b) 将该铝阳极处理膜置于一含氢氧化钠、四乙基矽醇、溴化四丙基铵及水的反应液中;以及(c) 将置于上述反应液中的铝阳极处理膜,于160至200℃下水热法反应1-8天,以形成一分子筛复合膜。2. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)之反应温度为180℃,反应时间为4天。3. 如申请专利范围第1项所述之方法,更包括一步骤(c):将所形成的分子筛复合膜进行500℃的锻烧24小时。4. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)反应是在一铁弗龙瓶中以水热法进行。5. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氢氧化钠、溴化四丙基铵、四乙基矽醇及水的莫耳比为NaOH:TPABr:TEOS:H@ss2O=4-60:4-40:100:8000-60000。6. 如申请专利范围第5项所述之方法,其中该氢氧化钠、溴化四丙基铵、四乙基矽醇及水的莫耳比为NaOH:TPABr:TEOS:H@ss2O=20:5:100:10000-12000。7. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)中的反应液更包括氢氧化铝。8. 如申请专利范围第7项所述之方法,其中该氢氧化钠、溴化四丙基铵、四乙基矽醇、水及氢氧化铝的莫耳比为NaOH:TPABr:TEOS:H@ss2O:A1(OH)@ss3=4-60:4-40:100:8000-60000:0-4。9. 如申请专利范围第8项所述之方法,其中该氢氧化钠、溴化四丙基铵、四乙基矽醇、水及氢氧化铝的莫耳比为NaOH:TPABr:TEOS:H@ss2O:A1(OH)@ss3=10:5:100:10000-12000:0-1。10. 如申请专利范围第1项之所述之方法,其中该步骤(b)包括下列子步骤:(b1) 将四乙基矽醇加入水溶液中;(b2) 于低于60℃情形下加入酸来分散该溶液,使其在溶液中产生二氧化矽颗粒;以及(b3) 将溴化四丙基铵及氢氧化钠加入该溶液中并加以搅拌使其均质。11. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该分子筛复合膜为矽沸石膜。12. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该分子筛复合膜为铝磷化物分子筛膜。13. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该铝阳极处理膜为铝经阳极处理及热处理后之氧化铝膜。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该铝阳极处理膜为铝合金经阳极处理及热处理后之氧化铝膜。15. 一种分子筛复合膜,系以申请专利范围第1项之方法所制成。16. 如申请专利范围第15项所述之分子筛复合膜,其系适用于触媒无机膜反应器、化学感测器、触媒转换器、电解槽及电池的隔离板。17. 如申请专利范围第15项所述之分子筛复合膜,其系适用于制备发光、感光、非线性光学、资料储存等光电元件者。图示简单说明:第1图为依照本发明第一实施例方法所制连续且致密之分子筛复合膜的正面及截面的扫描式电子显微镜照片;以及第2图为依照本发明第一实施例方法所制分子筛复合膜的X
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