可获致极短出货周期之唯读记忆体写码方法

摘要

本发明系关于一种可获致极短出货周期对唯读记忆体写码热法，由指一种可将唯读记忆体写码步骤移至护层光罩上，经护层图形蚀刻形成欲抹除之记忆元之窗口，而可于后续进行测试阶段时将所有位元均同时予以程式化，然后再透过紫外线照射，仅令位元上方开设有护层窗口之位置受紫外线照射而抹除，而其他位元则受护层覆盖而维持其程式化状态，达到安码效果，此等将写码步骤转移至护层光罩上完成，可使唯读记忆体由覆盖读层写码光罩至出货之时间可缩短并一至二天而已，提供一种唯读记忆体较佳的写码方法。

主权项

1. 一种可获致极短出货周期之唯读记忆体写码方法,包括:一于形成闸极/源/泄极及BPSG覆盖/蚀刻以定义出金属层与覆盖/蚀刻PSG层以定义出接线区之步骤;一覆盖氮化矽护层之步骤;一覆盖护层写码光罩及蚀刻形成护层写码窗口图形之步骤;一将晶片移至测试场所进行各记忆位元程式化之步骤;及一进行紫外线照射,以使紫外线可经护层写码窗口而穿透至对应之记忆位元位置而使其抹除之步骤;藉其写码作业于最外围之护层实施,使写码至出货之时间缩短者。2. 如申请专利范围第1项所述之可获致极短出货周期之唯读记忆体写码方法,其中该各记忆元之闸极外围更可经:一沈积氧化层层之步骤;一沈积氮化矽层之步骤;及一蚀刻氮化矽层以形成包覆在闸极侧缘之氮化矽侧壁之步骤;据以使各记忆位元侧壁形成可阻挡紫外线之隔绝层者。图示简单说明:第一图:系本发明之制法示意图。