| 摘要 |
本案系关于一种测量闸极氧化物（gate-oxide）厚度之方法，其系可应用于测量短通道（short channel）之Ｎ型金 属 氧 化 物 半 导 体 （Metal-OXide- Semiconductor,MOS）电晶体中之闸极氧化物厚度，其步骤包括：a ) 自该NMOS电晶体之一信号端输入一交流信号；b ) 于该交流信号之电压振幅高于该闸极氧化物之崩溃电压（breakdown voltage）值时，即使该交流信号产生一弹回（snap-back）现象，俾藉由该弹回现象而可侦测得知该闸极氧化物之该崩溃电压值；以及c ) 将该崩溃电压值与该闸极氧化物之一固定崩溃电场值遂行一算术运算，俾以得致该闸极氧化物之厚度；藉本案之作法，俾得一可快速且直接量测该NMOS电晶体元件之实际闸极氧化物厚度之方法。 |
