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发明名称 Monolitisch integrierte Struktur eines vertikalen Bipolar- und eines vertikalen MOSFET-Transistors
摘要
申请公布号 DE69320033(D1) 申请公布日期 1998.09.03
申请号 DE19936020033 申请日期 1993.06.10
申请人 CO.RI.M.ME. CONSORZIO PER LA RICERCA SULLA MICROELETTRONICA NEL MEZZOGIORNO, CATANIA, IT 发明人 PALARA, SERGIO, I-95026 ACITREZZA, CATANIA, IT
分类号 H01L27/06;H01L21/8249;H01L27/07;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/07;H01L29/72 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
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