| 发明名称 | 氮化镓晶体的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制备平坦性、结晶性优异的氮化镓厚膜晶体的方法。该方法包括在含镓的气氛中加热硅基板1的第一工序、在上述硅基板1上形成第一氮化镓3的第二工序和在上述第一氮化镓3的上面于比上述第一氮化镓3的形成温度高的温度形成第二氮化镓4的第三工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1201081A | 申请公布日期 | 1998.12.09 |
| 申请号 | CN98106206.7 | 申请日期 | 1998.04.03 |
| 申请人 | 松下电子工业株式会社 | 发明人 | 油利正昭;上田哲三;马场孝明 |
| 分类号 | C30B25/02;C30B29/38 | 主分类号 | C30B25/02 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 章鸣玉 |
| 主权项 | 1.氮化镓晶体的制备方法，其特征在于，具有在含镓的气氛中加热基板的第一工序、在上述基板上形成第一氮化镓的第二工序和在上述第一氮化镓的上面于比上述第一氮化镓形成温度高的温度形成第二氮化镓的第三工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||