| 主权项 |
1. 一种多位准反熔线结构包含:基板机构;一第一反熔线层,形成于前述基板结构之上;及一第二反熔线层,形成于前述第一反熔线结构上。2.如申请专利范围第1项之多位准反熔线结构,更包含导体机构,将前述反熔线结构及前述第二反熔线结构并联耦合。3.如申请专利范围第1项之多位准反熔线结构,其中前述第一反熔线结构包含:一第一导体层;一第一反熔线层,置于前述第一导体层之上;一第一绝缘层,置于前述第一反熔线层之上,且提供第一通孔洞;且一第一导体通孔,形成于前述第一通孔洞内。4.如申请专利范围第3项之多位准反熔线结构,其中该第二反熔线结构包含:一第二导体层,置于该第一导体层上,且可与该第一导体通孔有电接触;一第二反熔线层,置于前述第二导体层上。5.如申请专利范围第4项之多位准反熔线结构,其中前述第二反熔线结构更包含:一第二绝缘层,置于前述第二反熔线层上且提供一第二通孔洞;且一第二导体通孔,形成于前述第二通孔洞内。6.如申请专利范围第4项之多位准反熔线结构,其中前述第一反熔线层,及前述第二反熔线层被加上图样(pattern)成为多个反熔线区域。7.如申请专利范围第6项之多位准反熔线结构,其中前述第一反熔线层区域相对于前述第二反熔线层呈垂直对齐。8.如申请专利范围第6项之多位准反熔线结构,其中前述第一反熔线层区域与前述第二反熔线层不为垂直对齐。9.一种制造多位准反熔线结构的方法,包含下列步骤:在整个基板机构上形成一第一反熔线结构;且在整个前述第一反熔线结构上形成一第二反熔线结构。10.如申请专利范围第9项之方法,尚包含下列步骤并联前述第一反熔线结构及前述第二反熔线结构。11.如申请专利范围第9项之方法,其中形成第一反熔线结构的步骤更包含下列步骤:形成一第一反熔线区域;在整个前述第一反熔线区域形成一绝缘层,该绝缘层含第一通孔洞与前述第一反熔线区域相对齐;且在前述第一通孔洞内形成一第一导体通孔,该通孔洞与前述第一反熔线区域形成电接触。12.如申请专利范围第11项之方法,其中形成第二反熔线区域的步骤包含下列步骤:形成一第二反熔线区域,与前述第一反熔线区域成垂直对齐,使得第二反熔线区域与前述第一通孔机构之间可通电。13.如申请专利范围第11项之方法,其中形成第二反熔线的结构包含下列步骤:形成一第二反熔线区域,其从与前述第一反熔线区域垂直对齐之位置移开,使得前述第二反熔线区域实质上不直接与前述第一通孔机构相接触。14.如申请专利范围第13项之方法,更包含将前述第一通孔机构电耦合至前述二反熔线区域。15.如申请专利范围第11项之方法,其中形成第二反熔线结构的前述步骤包含下列步骤:在前述第一反熔线区域形成一第二反熔线区域;在前述第二反熔线区域形成一绝缘层,前述绝缘层含第二通孔洞,其与前述第二反熔线区域相对齐;且在前述第二通孔洞内形成一第二导体通孔,可与前述第二反熔线区通电。16.如申请专利范围第15项之方法,其中前述第二反熔线区域与前述第一反熔线区域垂直对齐,使得前述,第二反熔线区域与前述第一导体通孔之间可通电。17.如申请专利范围第15项之方法,其中前述第二反熔线区域不与前述第一反熔线区域垂直对齐,且更包含将前述第一通孔机构电耦至前述第二反熔线区域的步骤。18.一种用于制造多位准反熔线结构的方法包含下列步骤:(a) 提供一导体层;(b) 将导体层加上图样(patterning);(c) 在前述图样导体层上提供一反熔线层;(d) 将前述反熔线层加上图样,以形成多个反熔线区域;(e) 将前述反熔线层加上一绝缘层;(f) 产生多个通孔洞与前述多个反熔线区域相对齐;(g) 用导体材料充填前述多个通孔洞,使得多个导体通孔与前述多个反熔线区域形成电接触,因此在共同位准上提供多个反熔线结构;且(h) 至少重复步骤(a)至(g)一次,以在新的共同位准上提供多个反熔线结构。19.如申请专利范围第18项之方法,其中相邻阶层的反熔线结构并不垂直对齐。20.如申请专利范围第19项之方法,更包含产生多个导体线的步骤,其可将前述较低相邻阶层的导体通孔与邻近较高阶层的反熔线区域之间通电。21.如申请专利范围第20项之方法,其中前述多个导体线及前述多个通孔包含铝(A1)。22.如申请专利范围第20项之方法,其中相邻阶层的反熔线结构垂直对齐,使其较低相邻位准的导体通孔与相邻较高阶层的反熔线区域之间形成电接触。23.如申请专利范围第22项之方法,其中前述导体通孔包含一耐热金属。24.如申请专利范围第23项之方法,其中前述耐热金属包含钨。25.如申请专利范围第24项之方法,其中前述导体通孔由下列步骤形成:在该绝缘层及该通孔洞之内提供一包含钨的总括层;背蚀刻(etching-back)该包含钨的总括层(blanketlayer)以形成前述通孔。26.如申请专利范围第24项之方法,其中前述导体通孔由一包含钨之材料选择沉积而形成。27.如申请专利范围第26项之方法,更包含背蚀刻(etching-back)该包含钨之材料的步骤。图示简单说明:图1为已习知技术的反熔线结构;图2说明本发明之多阶层反熔线结构;图3为图2反熔线结构的顶视图;图4为一流程图,说明制造本发明反熔线结构的方法;图5为一与本发明另一实施例的多阶反熔线结构之截面图 |
