| 主权项 |
1.一种场发射显示装置,包括:一显示器,包含数个像素行及数个像素列;以及一阳极电极,其中该等像素包含藉由一驱动电路系统控制之个别射极电极及闸极电极;一高压电源供应器,与该阳极电极连结以提供一高电压;一低压电源供应器,与该驱动电路系统连结以提供一低电压的;且一逻辑控制组,与该高压及低压电源供应器连结之亦与该驱动电路系统所连结,该具有开启面板作用之选辑控制组首先藉由开启高压电源供应器,然后开启低压电源供应器以避免由该射极至该闸电极间之电子放射。2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示装置,其中该逻辑控制组于开启该低电压电源供应器后亦可开启该驱动电路系统。3.如申请专利范围第1项所述之场发射显示装置,其中该高压电源供应器于到达其操作电压之上后会产生一确认讯号,且其中:该逻辑控制组藉由产生一开启讯号至该高压电源供应器用以开启该高压电源供应器;且其中该逻辑控制组于接收该高压电源供应器所发出之该确认讯号后藉由产生一开启讯号至该低压电源供应器用以开启该低压电源供应器。4.如申请专利范围第1项所述之场发射显示装置,其中该射极电极包含数个圆锥形的电子射极,该等射极电极皆包含一个别之钼材质尖端。5.如申请专利范围第1项所述之场发射显示装置,并且该显示器内尚包含一可捕捉数个污染物的气体捕捉装置。6.一种场发射显示装置,包含:一显示器,其中包含数个像素行及数个像素列;以及一阳极电极,其中该等像素包含藉由一驱动电路系统控制之个别射极电极及闸极电极;一高压电源供应器,与该阳极电极连结用以提供一高电压及接收一第一开启讯号,该高压电源供应器于达到其操作电压之上后亦会产生一确认讯号;一低压电源供应器,与该驱动电路系统连结,以提供一低电压及接收一第二开启讯号;以及一逻辑控制组,与该高压及低压电源供应器以及该驱动电路系统连结,该逻辑控制组对一电源开启讯号之反应为,藉由该第一开启讯号的产生以开启该显示器,然后对应该确认讯号反应以产生该第二开启讯号以避免该射极至闸极电极间的电子放射。7.如申请专利范围第6项所述之场发射显示装置,其中连接该驱动电路系统用以接收一第三开启讯号,且其中该逻辑控制组亦于启动该低电压供应器后藉由产生该第三开启讯号后用以启动该驱动电路系统。8.如申请专利范围第7项所述之场发射显示装置,其中该第三开启讯号系于该低电压电源供应器启动一预定时间后产生。9.如申请专利范围第7项所述之场发射显示装置,其中该低电压电源供应器当达到其操作电压之上后便产生一确认讯号且其中于该逻辑控制组接收到来自该低电压电源供应器的确认讯号后便产生了该第三启动讯号。10.如申请专利范围第1或第7项所述之场发射显示装置,其中该逻辑控制组为一状态装置定序器(statemachine sequencer)。11.如申请专利范围第1或第7项所述之场发射显示装置,其中该逻辑控制组亦可藉由首先关闭该低压电源供应器而后关闭该高压电源供应器以关闭该显示器。12.如申请专利范围第1或第7项所述之场发射显示装置,其中该高电压介于5~10千伏特范围内。13.如申请专利范围第1或第7项所述之场发射显示装置,其中该等射极电极包含数个圆锥型电子射极。14.如申请专利范围第13项所述之场发射显示装置,其中每个圆锥型电子射极包含一钼质尖端。15.如申请专利范围第7项所述之场发射显示装置,于该显示器内尚包含一用以捕捉数个污染物之气体捕捉装置。16.一种场发射显示装置,包括:一显示器,包含数个像素行及像素列;以及一阳极电极,其中该等像素包含藉由一驱动电路系统控制之个别射极电极及闸极电极;一高压电源供应器,与该阳极电极连结以提供一高电压;一低压电源供应器,与该驱动电路系统连结以提供一低电压;数个侦测装置用以侦测该阳极电极之高电压;且一逻辑控制组,与该高压及低压电源供应器及该驱动电路系统连结,该逻辑控制组于该等侦测装置侦测到该阳极电极之高电压后,藉由开启该低电压电源供应器而开启该显示器。17.如申请专利范围第16项所述之场发射显示装置,其中该逻辑控制组藉由产生下开启讯号至该高压电源供应器以开启该高压电源供应器;且其中于接受到该等侦测装置所传出之讯号后,藉由该逻辑控制组产生下开启讯号至该低电压电源供应器后开启该低压电源供应器。18.如申请专利范围第17项所述之场发射显示装置,其中该显示器尚包含一聚焦膜(focus waffle)且其中该等侦测装置包含一用来侦测进入该聚焦膜电流之电路。19.如申请专利范围第17项所述之场发射显示装置,其中该显示器尚包含一聚焦膜且其中该等侦测装置包含一用来电容性侦测于该阳极电极上穿过该聚焦膜(focus waffle)之一上升电压的电路。20.如申请专利范围第17项所述之场发射显示装置,其中该显示器更包括一于该阳极上之传导层且其中该等侦测装置包含一侦测经过该传导层至该阳极电极之上升电压的电路。21.如申请专利范围第17项所述之场发射显示装置,其中该等侦测装置尚包含一微机械力侦测器,用以侦测于该阳极之静电力。22.如申请专利范围第17项所述之场发射显示装置,且尚包含;一次像素,置放于该阴极附近,且于藉由脉冲开启电源后所激发;以及一萤光区,位于该次像素上;以及其中该等侦测装置用来侦测由该次像素所发出的光。23.如申请专利范围第17项所述之场发射显示装置,其中更包含;一次像素,放置于该阴极附近,藉由脉冲开启电源所激发;以及一独立连结阳极区域,位于该次像素上;并且其中该等侦测装置,用来侦测从该阳极发出至该相对应的次像素的数个电流讯号。24.如申请专利范围第23项所述之场发射显示装置,其中该独立连结阳极区域为一萤光粉区。25.一种开启一场发射显示装置的方法,该场发射显示装置含有一显示器,该显示器包含:数个像素行与像素列;以及一阳极电极,其中该等像素包含藉由一驱动电路系统控制之个别射极电极及闸极电极,该开启该场发射显示装置的方法包含以下数个步骤:a)该逻辑控制组产生一第一开启讯号至一高压电源供应器,用以提供一高电压至该阳极电极。b)于该高压电源供应器达到其操作电压后,便产生一确认讯号;并且c)该逻辑控制组,对于该确认讯号作出反应而产生一第二开启讯号至该低压电源供应器,用以提供一低电压至该驱动电路系统。26.如申请专利范围第25项所述之开启该场发射显示装置的方法,其中该方法尚包括步骤d):该逻辑控制组于该低压电源供应器开启后开启该驱动电路系统。27.如申请专利范围第25项所述之开启该场发射显示装置的方法,其中该方法尚包括步骤d):该逻辑控制组藉由首先关闭该低压电源供应器然后关闭该高压电源供应器以关闭该显示器。28.如申请专利范围第25项所述之开启该场发射显示装置的方法,其中该逻辑控制组为一状态装置定序器(state machine sequencer)。29.如申请专利范围第25项所述之开启该场发射显示装置的方法,其中该高电压介于5~10千伏特范围内。30.如申请专利范围第25项所述之开启该场发射显示装置的方法,其中该等射极电极包含数个圆锥形电子射极。31.如申请专利范围第30项所述之开启该场发射显示装置的方法,其中每个该圆锥形电子射极包含一钼质尖端。32.如申请专利范围第25项所述之开启该场发射显示装置的方法,其中尚包括一步骤,利用气体捕捉装置,在该显示器内部捕捉污染物。图式简单说明:图一为一采用一位于行与列交叉点之选通场射极(gated field emmiter)的示范性之场发射显示器萤幕75之结构剖面图图示。图二为本发明实施例之一之示范性FED萤幕100图示。图三为依据本发明实施例之一,于启动此FED装置时电压与电流应用技术之图示300。图四为依据本发明实施例之一,一FED调整程序之步骤流程图400。图五为依据本发明实施例之一,一FED之调整系统的方块图700。图六为依据本发明之另一实施例,一FED开启步骤之流程图500。图七为依据本发明之另一实施例,一FED关闭步骤之流程图600。图八为依据本发明之另一实施例,于启动此FED装置时电压与电流应用技术之图示800。图九为依据本发明实施例之一,于FED萤幕正常操作下败动及关闭电路之逻辑块状图910。图十为依据图九中本发明实施例之一电路的逻辑控制电路其控制步骤的状态叙述图916。 |
