| 主权项 |
1.一种沟填制程,包括:提供一基底,于该基底上形成有一介电层,且于该介电层中形成有一开口;于该介电层上与该开口形成一沟填材料层;移除部分该沟填材料层至露出该介电层表面;以及进行一回蚀制程以去除部分该介电层与该沟填材料层,以使该沟填材料层较平坦化。2.如申请专利范围第1项所述之沟填制程,其中于进行该沟填材料处理制程之后,更包括对该沟填材料层进行选自电浆处理、紫外光固化与化学沈浸所组之族群其中之一,以于该沟填材料层表面形成一保护层。3.如申请专利范围第1项所述之沟填制程,其中移除部分之该沟填材料层的方法包括选自回蚀制程与化学机械研磨制程所组之族群其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之沟填制程,其中该沟填材料层包括选自I线光阻、深紫外光光阻与底层抗反射层所组之族群其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之沟填制程,其中形成该沟填材料层的方法包括旋转涂布法。6.如申请专利范围第1项所述之沟填制程,其中在对该沟填材料层与该顶盖层表面进行该沟填材料处理制程之后,更于该沟填材料层与该顶盖层上形成一底层抗反射层。7.如申请专利范围第1项所述之沟填制程,其中该开口包括选自介层窗开口、接触窗开口、沟渠、双重镶嵌开口所组之族群其中之一。8.一种沟填制程,适用于制造一双重镶嵌结构,包括:提供一基底;于该基底上依序形成一保护层、一第一介电层、一蚀刻中止层、一第二介电层与一顶盖层;于该第一介电层、该蚀刻中止层、该第二介电层与该顶盖层中形成一介层窗开口;于该顶盖层上与该介层窗开口形成一沟填材料层;移除部分该沟填材料层至露出该顶盖层表面;以及进行一回蚀制程以去除部分该介电层与该沟填材料层,以使该沟填材料层较平坦化。9.如申请专利范围第8项所述之沟填制程,其中于进行该沟填材料处理制程之后,更包括对该沟填材料层进行选自电浆处理、紫外光固化与化学沈浸所组之族群其中之一,以于该沟填材料层表面形成一保护层。10.如申请专利范围第8项所述之沟填制程,其中移除部分之该沟填材料层的方法包括选自回蚀制程与化学机械研磨制程所组之族群其中之一。11.如申请专利范围第8项所述之沟填制程,其中形成该沟填材料层的方法包括旋转涂布法。12.如申请专利范围第8项所述之沟填制程,其中该沟填材料层包括选自I线光阻、深紫外光光阻与底层抗反射层所组之族群其中之一。13.如申请专利范围第8项所述之沟填制程,其中在对该沟填材料层与该顶盖层表面进行该沟填材料处理制程之后,更于该沟填材料层与该顶盖层上形成一底层抗反射层。图式简单说明:第1A图至第1D图所绘示为习知一种在介层窗先定义双重镶嵌结构的制造方法中,于介层窗开口中形成沟填材料层的沟填制程流程剖面图;第2A图至第2E图所绘示为本发明较佳实施例之一种在介层窗先定义双重镶嵌结构的制造方法中,于介层窗开口中形成沟填材料层的沟填制程流程剖面图;以及第3A图至第3B图所绘示为本发明另一较佳实施例之一种在介层窗先定义双重镶嵌结构的制造方法中,于介层窗开口中形成沟填材料层的沟填制程流程剖面图。 |
