非挥发性存储元件及其制造方法

摘要

一种非挥发性存储元件及其制造方法，其中制造方法先提供一衬底，再于衬底中形成一沟槽。随后，于衬底与沟槽表面依序形成一底氧化层、一电荷陷入层以及一顶氧化层。之后，于顶氧化层上形成一导电层填满沟槽，再定义导电层，以于沟槽上形成一栅极。之后，去除栅极以外的顶氧化层、电荷陷入层以及底氧化层，再进行一源极或漏极掺杂制造工艺。由于本发明将存储元件做在沟槽中，所以可藉由增加耦合率来提升其储存效率，并可藉由调整沟槽深度而存入较多的电荷数。

主权项

1.一种非挥发性存储元件的制造方法，包括：提供一衬底；于该衬底中形成一沟槽；于该衬底与该沟槽表面形成一底氧化层；于该底氧化层上形成一电荷陷入层；于该电荷陷入层上形成一顶氧化层；于该顶氧化层上形成一导电层填满该沟槽；定义该导电层，以于该沟槽上形成一栅极；去除该栅极以外的该顶氧化层、该电荷陷入层以及该底氧化层；以及进行一源极或漏极掺杂工艺。