半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的目的是，借助于制作结晶半导体膜，同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸，将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区，而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜，而不用金属或热导高的绝缘膜，作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差，以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。

主权项

权利要求书1.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤：在衬底的表面上制作小岛状绝缘膜；制作基底绝缘膜，以覆盖所述小岛状绝缘膜的顶部和侧面以及所述衬底；在所述基底绝缘膜上制作半导体膜；对所述半导体膜进行图形化，以在基底绝缘膜上形成半导体小岛，以覆盖所述小岛状绝缘膜的至少一部分顶部和至少一部分侧面；用激光辐照方法使所述半导体小岛结晶；在所述小岛状半导体膜上制作栅绝缘膜；以及在所述栅绝缘膜上制作栅电极。