| 摘要 |
여기에는 비트 라인들과 스트링 선택 라인들의 교차 영역들에 각각 형성되며, 각각이 기판 상에 수직하게 다층 구조로 형성된 메모리 셀들을 갖는 스트링들을 포함하는 불 휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법이 제공되며, 이 프로그램 방법에 따르면, 새도우 프로그램 방식에 따라 YZ 평면의 각 층에 속한 메모리 셀들이 멀티-비트 데이터로 프로그램되며, YZ 평면의 N번째 층(여기서, N은 1 또는 그 보다 큰 정수)의 메모리 셀들이 프로그램되는 경우, YZ 평면의 다른층의 메모리 셀들이 프로그램되기 이전에 N번째 층에 대응하는 XZ 평면의 나머지 메모리 셀들이 프로그램된다. |
