绝缘栅双极型晶体管

摘要

在IGBT（10）中，以弯曲形状延伸而具有转角的沟槽（70a、70b）形成于半导体衬底的上表面中。沟槽（70a、70b）的内面覆盖有绝缘膜。栅极被置于沟槽（70a、70b）内。发射极和集电极分别形成在半导体衬底的上表面和下表面上。发射极区域、体区域、漂移区以及集电极区域形成于半导体衬底中。发射极区域是由n型半导体形成的，与绝缘膜相接触，并且与发射电极欧姆接触。体区域是由p型半导体形成的，与发射极区域下方的绝缘膜相接触，与沟槽（70a、70b）的内转角部（72‑1、72‑2）的绝缘膜相接触，并且与发射电极欧姆接触。

主权项

绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：半导体衬底(20)；发射电极(50)；集电电极(60)；以及栅电极(80)，其中：沟槽(70a、70b)，其形成于所述半导体衬底的第一主面(20a)内，所述第一主面是所述半导体衬底的一个主面，所述沟槽以弯曲形状延伸以当在所述半导体衬底的平面图中看时在第一主面侧上具有转角，所述沟槽(70a、70b)在所述半导体衬底的所述平面图中在所述第一主面侧上限定了矩形区域；所述沟槽的内面覆盖有绝缘膜(76)；所述栅电极(80)被置于所述沟槽内；所述发射电极(50)形成于所述半导体衬底的所述第一主面上；所述集电电极(60)形成于所述半导体衬底的第二主面(20b)上，所述第二主面是所述半导体衬底的另一个主面；以及其中，所述半导体衬底(20)中包括：发射极区域(22)，其由n型半导体形成，与所述绝缘膜(76)相接触，并且与所述发射电极(50)欧姆接触；体区域(24、32；24)，其由p型半导体形成，在与所述发射极区域(22)相邻的位置处与所述绝缘膜(76)相接触且在所述沟槽的内转角部处与所述绝缘膜(76)相接触，并且与所述发射电极(50)欧姆接触；漂移区(34)，其由n型半导体形成，形成在相对于所述体区域较接近所述第二主面的侧上，通过所述体区域与所述发射极区域(22)分隔开，并且与所述沟槽的第二主面侧端部的所述绝缘膜相接触；集电极区域(36)，其由p型半导体形成，形成在相对于所述漂移区(34)较接近所述第二主面的侧上，通过所述漂移区与所述体区域(24、32；24)分隔开，并且与所述集电电极欧姆接触；以及高浓度n型区域(30；42)，其形成于所述体区域(24)和所述漂移区(34)之间，其中，所述高浓度n型区域由n型半导体形成，通过所述体区域(24)与所述发射极区域(22)分隔开，所述高浓度n型区域将所述体区域(24)与所述漂移区(34)分隔开，并且在n型杂质浓度上比所述漂移区更高，其中所述发射极区域(22)和所述体区域(24、32；24)形成于所述矩形区域内；以及在所述半导体衬底的所述平面图中的所述矩形区域内，所述发射极区域与所述绝缘膜相接触的边界线的总长度小于所述体区域与所述绝缘膜相接触的边界线的总长度。