发明名称 |
移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置 |
摘要 |
本发明提供一种移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置。所述移位寄存器单元包括输入模块,上拉模块和下拉模块,所述上拉模块包括上拉晶体管,所述移位寄存器单元还包括控制电压产生模块,所述控制电压产生模块的第一端与所述输入模块的输出端相连,所述控制电压产生模块的第二端与所述上拉晶体管的栅极相连,其中,所述控制电压产生模块包括第一存储电容、反相子模块和上拉控制子模块,所述反相子模块的输出端与所述上拉晶体管的栅极相连,所述上拉控制子模块的输出端与所述第一存储电容的第一端、所述反相子模块的输入端相连。本发明可以减少移位寄存器单元中悬浮点对输出的影响,提高输出稳定性。 |
申请公布号 |
CN104299595B |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201410644028.9 |
申请日期 |
2014.11.06 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
马占洁 |
分类号 |
G09G3/36(2006.01)I;G11C19/28(2006.01)I |
主分类号 |
G09G3/36(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;陈源 |
主权项 |
一种移位寄存器单元,包括输入模块,上拉模块和下拉模块,所述上拉模块包括上拉晶体管,其特征在于,所述移位寄存器单元还包括控制电压产生模块,所述控制电压产生模块的第一端与所述输入模块的输出端相连,所述控制电压产生模块的第二端与所述上拉晶体管的栅极相连,其中,所述控制电压产生模块包括第一存储电容、反相子模块和上拉控制子模块,所述反相子模块的输出端与所述上拉晶体管的栅极相连,当所述第一存储电容在所述移位寄存器单元的第四阶段向所述反相子模块放电时,所述反相子模块能够向所述上拉晶体管输出开启电平,并且所述反相子模块能够在所述移位寄存单元的第一阶段、第三阶段向所述上拉晶体管输出开启电平;所述上拉控制子模块的输出端与所述第一存储电容的第一端、所述反相子模块的输入端相连,当所述上拉控制子模块输出与所述开启电平反相的控制信号时,所述第一存储电容充电,且所述反相子模块向所述上拉晶体管输出开启电平;其中,所述第一阶段为所述移位寄存单元的输出阶段之前的触发信号写入阶段,所述第三阶段和第四阶段为所述移位寄存单元的输出阶段之后的循环的两个阶段,且所述第三阶段和所述第四阶段中与所述输出阶段相邻的为第三阶段。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |