HOCHSPANNUNGSBIPOLARTRANSISTOR MIT GRABENFELDPLATTE, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER BIPOLARSTRUKTUR, INTEGRIERTE TRANSISTORSTRUKTUR UND INTEGRIERTE SCHALTUNG

摘要

Bipolartransistorstruktur, umfassend: eine Epitaxialschicht (102) auf einem Halbleitersubstrat (104); ein in der Epitaxialschicht (102) ausgebildetes Bipolartransistorbauelement mit einer Basis (106), einem Emitter (108) und einem Kollektor, die in der Epitaxialschicht (102) ausgebildet sind; eine in der Epitaxialschicht (102) benachbart zu mindestens zwei gegenüberliegenden seitlichen Seiten (120, 122) des Bipolartransistorbauelements ausgebildete Grabenstruktur (118), wobei die Grabenstruktur (118) eine durch ein Isoliermaterial (126) von der Epitaxialschicht (102) beabstandete Feldplatte (124) enthält; einen mit der Basis (106) des Bipolartransistorbauelements verbundenen Basiskontakt (110); einen mit dem Emitter (108) des Bipolartransistorbauelements verbundenen und von dem Basiskontakt (110) isolierten Emitterkontakt (112) und eine elektrische Verbindung (116) zwischen dem Emitterkontakt (112) und der Feldplatte (124).