Logical bistable circuit using low threshold voltage field effect transistors, and memory device using such a circuit.

摘要

Ce circuit logique comprend deux transistors à effet de champ (T1, T2) en série dont les grilles sont reliées à la tension d'alimentation par une première charge Z1. La source du premier transistor à effet de champ (T1) est reliée à la masse. Le drain du deuxième transistor à effet de champ est relié d'une part à la tension d'alimentation par une deuxième charge Z2 et à la grille d'un troisième transistor à effet de champ (T3) dont le drain est relié à la tension d'alimentation et la source au point commun constitué par le drain du premier transistor à effet de champ T1 et par la source du deuxième transistor à effet de champ T2 par l'intermédiaire d'une diode Schottky (dc2). Application à un circuit de mémorisation à accès aléatoire.