| 主权项 |
1. 一种供应气体给反应器之方法,其步包括:() 连续量测气体之密度,该气体包含至少一种成分,此成分容易形成一所不希望之副产品,该项副产品之存在,系由该气体密度之变化显示出来,量测之步骤如下:-将一支气流通过在电激发影响下之振动管,及-量测该气体密度与振动管频率间之函数关系,() 若气体密度之变化显示有所不希望之副产品形成,则修改进给条件。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中,该容易形成一所不希望之副产品之成分系二硼烷(B@ss2H@ss6)。3. 如申请专利范围第2项之方法,其中,供应给反应器之气体,包括一B@ss2H@ss6与SiH@ss4之混合物。4. 如申请专利范围第3项之方法,其中,所用B@ss2H@ss6及SiH@ss4之量,可有效地生长硼磷矽玻璃层。5. 如申请专利范围第3项之方法,其中,所不希望之副产品系一高级硼烷,其中包含四硼烷(B@ss4H@ss1@ss0)及/或五硼烷11(B@ss5H@ss1@ss1)。6. 如申请专利范围第1项之方法,其中,量测气体密度之步骤中,除量测该振动管之振动频率外,更包括:量测气体之压力、温度或同时量测两者之步骤。7. 如申请专利范围第3项之方法,其中,该修改该气体进给条件之步骤,更包括修改B@ss2H@ss6及SiH@ss4混合物进给修件之步骤。8. 如申请专利范围第7项之方法,其中,B@ss2H@ss6及SiH@ss4混合物之进给条件,系藉控制气体流量及/或藉将气体与另一以B@ss2H@ss6为主之改正气流合并而予以修改。9. 一种用以供应一包括B@ss2H@ss6及SiH@ss4之混合气体给反应器,以生长硼磷矽玻璃层之方法,其步骤包括:() 藉(a)将一支气流通过在电激发影响下之振动管,以连续量测该气体之密度;及(b)量测该气体密度与振动管频率间之函数关系,由B@ss2H@ss6形成所不希望之副产品(包括高级硼烷),而且,假若该气体之密度变化,乃显示有高级硼烷形成,() 修改该气体之进给条件。10. 一种用以供应气体给反应器之器具,其中包括:()包含一气体进料之储库;() 接纳该气体之反应器;() 介于进料储库及反应器间之输入导管,该输入导管安有连续量测气体密度之装置,该气体密度之变化乃显示该气体内有所不希望之副产品形成;及() 因应该气体密度之变化所显示有不希望之副产品形成,以修改进给条件之装置。11. 如申请专利范围第10项之器具,其中,该量测密度之装置系配置在进料储库及该反应器之间,且包括:() 在电激发影响下之振动管,该气体通过该振动管;() 以该振动管之函数关系计算该气体密度所用之装置。12. 如申请专利范围第11项之器具,其中更包括用以量测该气体温度及压力之装置,该气体之密度系在该计算装置中,不仅利用该量测之振动管频率且利用该量测之温度及压力而决定者。13. 如申请专利范围第12项之器具,其中利用振动管频率、量测之温度及量测之压力,以计算该气体密度之装置,系一电子单元。14. 如申请专利范围第10项之器具,因应不希望之副产品之形成(如该气体密度之变化所显示者),用以修改该气体进给条件之装置包括:() 一比对器,用以将该进料密度之量测値与一设定値加以比对;及() 一反应环路,该反应环路系作用于进料流量及/或另一改正气流量,将该进料密度之量测値与该该比对器所决定之设定値比较,以减少其所有之变化。图示简单说明:附图所示系本发明密度计之横剖面图,乃本发明整个制程 |
