| 摘要 |
<p>본 발명은 스택 게이트 플래쉬 메모리에서 부유 게이트 측면이 유선형 프로파일을 갖도록하여 소자의 동작 특성을 향상시킬 수 있도록한 반도체 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판의 제 1 방향으로 장축을 갖도록 필드 산화막을 형성하는 단계;전면에 부유 게이트 형성용 물질을 증착하고 마스킹 산화막,마스킹 폴리 실리콘층을 적층 형성하는 단계;상기 마스킹 산화막,마스킹 폴리 실리콘층을 선택적으로 패터닝하고 그 측면에 마스킹 측벽을 형성하는 단계;상기 마스킹 산화막,마스킹 폴리 실리콘층 및 마스킹 측벽을 이용한 이방성 식각 공정으로 부유 게이트 형성용 물질층을 1차 패터닝하여 필드 산화막상에 제 1 방향으로 분리 영역이 형성되도록하는 단계;전면에 층간 절연층,제어 게이트 형성용 물질층을 차례로 형성하는 단계;상기 제어 게이트 형성용 물질층을 선택적으로 패터닝하여 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 장축을 갖고 분리 형성되는 제어 게이트를 형성하는 단계;상기 제어 게이트를 이용하여 부유 게이트 형성용 물질층을 2차 패터닝하고 소오스/드레인을 형성하기 위한 불순물 주입 공정을 진행하는 단계를 포함한다.</p> |
