| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 게이트 형성방법에 관한 것으로, 종래 반도체소자의 게이트 형성방법은 텅스텐막을 급속열처리하는 공정과 폴리실리콘을 재 산화하는 공정을 별도로 진행하므로 공정이 복잡하고 게이트 외곽에 형성하는 질화막에 의해 기생커패시턴스가 증가하는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 반도체기판 상부에 차례로 게이트산화막, 폴리실리콘, 질소를 포함한 텅스텐막, 캡질화막, 캡산화막을 형성하는 공정과; 상기 형성한 구조물을 게이트가 형성될 위치에 맞추어 상기 게이트산화막이 드러나도록 식각하는 공정과; 상기 형성한 구조물 상부전면에 희생폴리실리콘을 형성하는 공정과; 상기 질소가 포함된 텅스텐막을 급속열처리하여 폴리실리콘 및 희생폴리실리콘 과의 계면에 텅스텐질화막을 형성하는 공정과; 상기 희생폴리실리콘을 산화시켜 산화막을 형성하는 공정으로 이루어 지는 반도체소자의 게이트 형성방법을 통해 챔버내의 가스 분위기만을 질소에서 산소로 바꿈으로서 텅스텐질화막을 형성하고, 희생폴리실리콘을 산화시키는 공정을 진행 할 수 있어 그 공정을 단순화 하며, 공정시간을 줄일 수 있고, 동시에 질화막을 이용하여 게이트의 외부를 보호하던 것을 산화막을 이용함으로써 기생커패시턴스를 감소 시킬 수 있는 효과가 있다.</p> |
