发明名称 | 用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料 | ||
摘要 | 用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料,其发出高亮度光并只有少量的因暴露于等离子体等引起的亮度降低,和通过用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料提供了包括该荧光材料的真空紫外线辐射激发发光装置,其包括由通式:mM<SUP>1</SUP>O·nM<SUP>2</SUP>O·2M<SUP>3</SUP>O<SUB>2</SUB>表示的化合物,其中M<SUP>1</SUP>是选自Ca、Sr和Ba的至少一种金属,M<SUP>2</SUP>是选自Mg和Zn的至少一种金属,M<SUP>3</SUP>是选自Si和Ge的至少一种金属,和m和n分别满足0.5≤m≤3.5和0.5≤n≤2.5,条件是当m=n=1时,M<SUP>1</SUP>是选自Ca、Sr和Ba的至少两种金属,或选自Sr和Ba的一种金属;和选自Eu和Mn的至少一种金属作为活化剂,和包括该荧光材料的真空紫外线辐射激发发光装置。 | ||
申请公布号 | CN100338170C | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
申请号 | CN01137167.6 | 申请日期 | 2001.09.27 |
申请人 | 住友化学工业株式会社 | 发明人 | 户田健司;佐藤峰夫;大野庆司;宫崎进;武田隆史 |
分类号 | C09K9/00(2006.01) | 主分类号 | C09K9/00(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;杨丽琴 |
主权项 | 1.一种用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料,其包含由通式:Ca1-c-dSrcEudMgSi2O6表示的化合物,其中c和d分别满足0<c≤0.1和0<d≤0.1。 | ||
地址 | 日本大阪府 |