| 发明名称 | 场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种沟槽型场效应晶体管，它包括(a)半导体衬底；(b)在半导体衬底中延伸至预定深度的沟槽；(c)位于沟槽两侧的一对掺杂源结；(d)位于沟槽两侧的每个源结附近的掺杂重掺杂体，此重掺杂体的最深部分在所述半导体衬底中延伸的深度比沟槽的预定深度浅；以及(e)位于重掺杂体下面并包围重掺杂体的掺杂阱。 | ||
| 申请公布号 | CN100338778C | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN98122326.5 | 申请日期 | 1998.11.13 |
| 申请人 | 费查尔德半导体有限公司 | 发明人 | 布赖恩·塞奇·莫;迪克·肖;史蒂文·萨普;伊萨克·本库亚;迪安·爱德华·普罗布斯特 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管，包括：具有第一导电类型的杂质的半导体衬底；相互平行排列的多个栅极形成沟槽，每个沟槽在所述衬底中延伸至第一深度，相邻沟槽之间的空间限定一接触区；位于每个沟槽两侧的一对掺杂的源结，所述源结具有第一导电类型的杂质；具有第二导电类型的杂质的掺杂阱，所述第二导电类型的电荷与第一导电类型的相反，所述掺杂阱形成于每对栅极形成沟槽之间的半导体衬底中；在所述掺杂阱内形成的重掺杂体，所述重掺杂体具有小于所述沟槽的第一深度的第二深度；以及沿接触区的长度限定于半导体衬底表面的重掺杂体接触区域，其中，所述重掺杂体与所述阱形成突变结，所述重掺杂体的深度相对于所述阱的深度如此调节，从而在有电压加到晶体管时，晶体管的峰值电场与所述沟槽隔开。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||