发明名称 |
电平移动器 |
摘要 |
一种紧凑的电平移动器,它具有低功耗和快速的操作,能够容易地进行大差值的电压电平的电平转换。电压调整电路(10a)、p沟道MOS场效应晶体管(PMOST)(103)和n-沟道场效应晶体管(NMOST)(105)串联在两个电源之间。电压调整电路(10b)、PMOST(102)、PMOST(104)和NMOST(106)串联在两个电源之间。在电平转换工作的过渡周期穿透电流流动期间,上述电压调整电路有效地减小电源电压,从而使大差值电压电平的电平转换能够容易地进行。 |
申请公布号 |
CN100344062C |
申请公布日期 |
2007.10.17 |
申请号 |
CN200510008066.6 |
申请日期 |
2001.03.14 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
浅见宗广 |
分类号 |
H03K19/00(2006.01);H03K19/0185(2006.01);G09G3/36(2006.01);G02F1/133(2006.01) |
主分类号 |
H03K19/00(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王忠忠 |
主权项 |
1.一种电平移动器,它包括:第一导电类型的第一MOS晶体管,其源极连接到第一电源,而第一输入信号输入到其栅极;其导电类型与所述第一导电类型相同的第二MOS晶体管,其源极连接到所述第一电源,而第二输入信号输入到其栅极,其中所述第二输入信号是所述第一输入信号的反相信号;不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第三MOS晶体管,其漏极连接到所述第一MOS晶体管的漏极,而所述第一输入信号输入到其栅极;导电类型与所述第二导电类型相同的第四MOS晶体管,其漏极连接到所述第二MOS晶体管的漏极,而所述第二输入信号输入到其栅极;其导电类型与所述第二导电类型相同的第五MOS晶体管,其漏极连接到所述第三MOS晶体管的源极,而其栅极连接到所述第二MOS晶体管的漏极;导电类型与所述第二导电类型相同的第六MOS晶体管,其漏极连接到所述第四MOS晶体管的源极,而其栅极连接到所述第一MOS晶体管的漏极;连接在所述第五MOS晶体管的源极和第二电源之间的第一电压调整电路;和连接在所述第六MOS晶体管的源极和所述第二电源之间的第二电压调整电路,其中第一电压振幅的所述第一和第二输入信号被转换成第二电压振幅的信号,从而从所述第一MOS晶体管的漏极或所述第二MOS晶体管的所述漏极中的至少一个输出信号,以及其中,所述第一或第二电压调整电路包括具有漏极和与该漏极相连的栅极的MOS晶体管。 |
地址 |
日本神奈川县 |